Ovo je upakovanoMOSFETpiroelektrični infracrveni senzor.Pravougaoni okvir je senzorski prozor.G pin je terminal za uzemljenje, D pin je interni MOSFET dren, a S pin je interni MOSFET izvor.U krugu je G spojen na masu, D je spojen na pozitivno napajanje, infracrveni signali se unose iz prozora, a električni signali izlaze iz S.
Presuda kapija G
MOS drajver uglavnom igra ulogu oblikovanja valnog oblika i poboljšanja pokretanja: Ako talasni oblik G signalaMOSFETnije dovoljno strm, to će uzrokovati veliki gubitak snage tokom faze prebacivanja.Njegova nuspojava je smanjenje efikasnosti konverzije kola.MOSFET će imati jaku temperaturu i lako će se oštetiti toplotom.Postoji određeni kapacitet između MOSFETGS-a., ako je sposobnost pokretanja G signala nedovoljna, to će ozbiljno utjecati na vrijeme skoka valnog oblika.
Kratko spojite GS pol, odaberite R×1 nivo multimetra, povežite crni ispitni vod na S pol, a crveni ispitni kabl na D pol.Otpor bi trebao biti od nekoliko Ω do više od deset Ω.Ako se utvrdi da je otpor određenog pina i njegova dva pina beskonačan, a i dalje je beskonačan nakon zamjene ispitnih vodova, potvrđuje se da je ovaj pin G pol, jer je izoliran od druga dva pina.
Odredite izvor S i odvod D
Postavite multimetar na R×1k i izmjerite otpor između tri pina.Upotrijebite metodu zamjenske ispitne žice da dvaput izmjerite otpor.Onaj sa nižom vrijednošću otpora (obično nekoliko hiljada Ω do više od deset hiljada Ω) je otpor prema naprijed.U ovom trenutku, crni ispitni vod je S pol, a crveni ispitni vod je spojen na D pol.Zbog različitih uslova ispitivanja, izmjerena RDS(on) vrijednost je viša od tipične vrijednosti date u priručniku.
Tranzistor ima kanal N tipa pa se naziva N-kanalMOSFET, iliNMOS.Postoji i P-kanalni MOS (PMOS) FET, koji je PMOSFET sastavljen od lagano dopiranog BACKGATE-a N-tipa i izvora i odvoda tipa P.
Bez obzira na N-tip ili P-tip MOSFET-a, njegov princip rada je u suštini isti.MOSFET kontrolira struju na odvodu izlaznog terminala naponom primijenjenom na kapiji ulaznog terminala.MOSFET je naponski kontrolisan uređaj.Kontroliše karakteristike uređaja putem napona koji se primjenjuje na kapiju.Ne uzrokuje efekat skladištenja naboja uzrokovan baznom strujom kada se za prebacivanje koristi tranzistor.Stoga, u zamjeni aplikacija,MOSFETstrebalo bi se prebacivati brže od tranzistora.
FET je takođe dobio ime po činjenici da njegov ulaz (koji se naziva kapija) utiče na struju koja teče kroz tranzistor tako što projektuje električno polje na izolacioni sloj.U stvari, struja ne teče kroz ovaj izolator, tako da je GATE struja FET cijevi vrlo mala.
Najčešći FET koristi tanak sloj silicijum dioksida kao izolator ispod GATE-a.
Ovaj tip tranzistora naziva se tranzistor metal oksid poluvodiča (MOS) ili tranzistor s efektom polja metal oksid poluvodiča (MOSFET).Budući da su MOSFET-ovi manji i energetski efikasniji, zamijenili su bipolarne tranzistore u mnogim aplikacijama.
Vrijeme objave: 10.11.2023
