MOSFET (metal-oksid-poluprovodnički tranzistor sa efektom polja) se često smatra potpuno kontrolisanim uređajima. To je zato što je radno stanje (uključeno ili isključeno) MOSFET-a u potpunosti kontrolirano naponom gejta (Vgs) i ne ovisi o baznoj struji kao u slučaju bipolarnog tranzistora (BJT).
U MOSFET-u, napon gejta Vgs određuje da li se provodni kanal formira između izvora i odvoda, kao i širinu i provodljivost provodnog kanala. Kada Vgs pređe granični napon Vt, formira se provodni kanal i MOSFET ulazi u uključeno stanje; kada Vgs padne ispod Vt, provodni kanal nestaje i MOSFET je u stanju prekida. Ova kontrola je potpuno kontrolisana jer napon gejta može nezavisno i precizno kontrolisati radno stanje MOSFET-a bez oslanjanja na druge parametre struje ili napona.
Nasuprot tome, na radno stanje polukontrolisanih uređaja (npr. tiristora) ne utiče samo upravljački napon ili struja, već i drugi faktori (npr. anodni napon, struja, itd.). Kao rezultat toga, potpuno kontrolisani uređaji (npr. MOSFET) obično nude bolje performanse u smislu tačnosti i fleksibilnosti kontrole.
Ukratko, MOSFET-ovi su potpuno kontrolirani uređaji čije je radno stanje potpuno kontrolirano naponom gejta, a imaju prednosti visoke preciznosti, velike fleksibilnosti i niske potrošnje energije.
Vrijeme objave: Sep-20-2024
