Uvod u princip rada najčešće korištenih MOSFET-ova velike snage

Danas se najčešće koriste velike snageMOSFETda ukratko predstavim njegov princip rada. Pogledajte kako realizuje sopstveni rad.

 

Metal-Oxide-Semiconductor odnosno Metal-Oxide-Semiconductor, upravo ovaj naziv opisuje strukturu MOSFET-a u integrisanom kolu, odnosno: u određenoj strukturi poluprovodničkog uređaja, u sprezi sa silicijum-dioksidom i metalom, formira se formiranje kapije.

 

Izvor i odvod MOSFET-a su suprotstavljeni, obe su zone N-tipa formirane u stražnjoj kapiji P-tipa. U većini slučajeva, dvije oblasti su iste, čak i ako dva kraja podešavanja neće utjecati na performanse uređaja, takav uređaj se smatra simetričnim.

 

Klasifikacija: prema vrsti materijala kanala i tipu izolovanih kapija za svaki N-kanal i P-kanal dva; prema provodljivom modu: MOSFET je podijeljen na osiromašenje i poboljšanje, tako da je MOSFET podijeljen na N-kanalni osiromašenje i poboljšanje; Smanjenje P-kanala i poboljšanje četiri glavne kategorije.

MOSFET princip rada - strukturne karakteristikeMOSFETon provodi samo jedan nosač polariteta (poli) uključen u provodljivost, unipolarni je tranzistor. Provodni mehanizam je isti kao i MOSFET male snage, ali struktura ima veliku razliku, MOSFET male snage je horizontalni provodni uređaj, većina MOSFET-a snage vertikalna vodljiva struktura, također poznata kao VMOSFET, koja uvelike poboljšava MOSFET sposobnost uređaja da izdrži napon i struju. Glavna karakteristika je da postoji sloj izolacije od silicijum dioksida između metalne kapije i kanala, te stoga ima visok ulazni otpor, cijev provodi u dvije visoke koncentracije n difuzijske zone kako bi se formirao vodljivi kanal n-tipa. n-kanalni MOSFET-ovi za poboljšanje moraju se primijeniti na gejt sa prednagibom, i to samo kada je napon izvora gejta veći od napona praga provodnog kanala koji generiše n-kanalni MOSFET. MOSFET tipa n-kanalnog osiromašenja su n-kanalni MOSFET-ovi u kojima se provodni kanali generiraju kada se ne primjenjuje napon gejta (napon izvora gejta je nula).

 

Princip rada MOSFET-a je da kontroliše količinu "indukovanog naelektrisanja" korišćenjem VGS-a za promenu stanja provodnog kanala formiranog od "indukovanog naelektrisanja", a zatim i za postizanje svrhe kontrole struje odvoda. U proizvodnji cijevi, kroz proces izolacijskog sloja dolazi do pojave velikog broja pozitivnih jona, pa se na drugoj strani međupovršine može inducirati veći negativni naboj, ovi negativni naboji do visokog prodora nečistoća u N region povezan sa formiranjem provodnog kanala, čak iu VGS = 0 takođe postoji velika struja curenja ID. kada se promijeni napon gejta, mijenja se i količina naelektrisanja indukovanog u kanalu, te se mijenja širina provodnog kanala i uskost kanala, a time i ID struje curenja sa naponom gejta. trenutni ID varira sa naponom kapije.

 

Sada primjenaMOSFETje uvelike poboljšala učenje ljudi, radnu efikasnost, a istovremeno poboljšala kvalitet našeg života. Imamo racionalnije razumevanje toga kroz neko jednostavno razumevanje. Ne samo da će se koristiti kao alat, više razumijevanja njegovih karakteristika, principa rada, što će nam također pružiti veliku zabavu.