MOSFET, poznat kao metal-oksid-poluprovodnički tranzistor sa efektom polja, je široko korišćen elektronski uređaj koji pripada tipu tranzistora sa efektom polja (FET). Glavna strukturaa MOSFETsastoji se od metalne kapije, oksidnog izolacionog sloja (obično silicijum dioksid SiO₂) i sloja poluprovodnika (obično silicijum Si). Princip rada je kontrola napona gejta kako bi se promijenilo električno polje na površini ili unutar poluvodiča, čime se kontrolira struja između izvora i odvoda.
MOSFETsmogu se kategorizirati u dva glavna tipa: N-kanalniMOSFETs(NMOS) i P-kanalMOSFETs(PMOS). U NMOS, kada je napon gejta pozitivan u odnosu na izvor, na površini poluvodiča se formiraju provodni kanali n-tipa, omogućavajući elektronima da teku od izvora do drena. U PMOS-u, kada je napon gejta negativan u odnosu na izvor, na površini poluvodiča se formiraju provodni kanali p-tipa, omogućavajući rupama da teku od izvora do drena.
MOSFETsimaju mnoge prednosti, kao što su visoka ulazna impedansa, nizak šum, niska potrošnja energije i lakoća integracije, pa se široko koriste u analognim kolima, digitalnim kolima, upravljanju napajanjem, energetskoj elektronici, komunikacijskim sistemima i drugim poljima. U integrisanim kolima,MOSFETssu osnovne jedinice koje čine CMOS (komplementarni metalni oksidni poluvodič) logička kola. CMOS kola kombinuju prednosti NMOS i PMOS, a karakterišu ih niska potrošnja energije, velika brzina i visoka integracija.
Osim toga,MOSFETsmogu se kategorizirati na tip poboljšanja i tip deplecije prema tome da li su njihovi provodni kanali unaprijed formirani. Vrsta poboljšanjaMOSFETu naponu gejta je nula kada kanal nije provodljiv, potrebno je primijeniti određeni napon kapije da bi se formirao provodljivi kanal; dok tip iscrpljivanjaMOSFETu naponu gejta je nula kada je kanal već provodljiv, napon gejta se koristi za kontrolu provodljivosti kanala.
Ukratko,MOSFETje tranzistor sa efektom polja baziran na poluvodičkoj strukturi od metal-oksida, koji reguliše struju između izvora i drena kontrolirajući napon gejta, i ima širok spektar primjena i važnu tehničku vrijednost.
Vrijeme objave: Sep-12-2024
