Razlike između IGBT i MOSFET-a

IGBT (bipolarni tranzistor sa izolovanim vratima) i MOSFET (metal-oksid-poluprovodnički tranzistor sa efektom polja) su dva uobičajena energetska poluprovodnička uređaja koja se široko koriste u energetskoj elektronici. Iako su obje bitne komponente u različitim aplikacijama, one se značajno razlikuju u nekoliko aspekata. Ispod su osnovne razlike između IGBT i MOSFET-a:

1. Princip rada

- IGBT: IGBT kombinuje karakteristike i BJT (bipolarnog spojnog tranzistora) i MOSFET-a, što ga čini hibridnim uređajem. On kontroliše bazu BJT-a kroz napon gejta MOSFET-a, koji zauzvrat kontroliše provodljivost i prekid BJT-a. Iako su procesi provođenja i prekidanja IGBT-a relativno složeni, on ima male gubitke napona provodljivosti i visoku toleranciju napona.

- MOSFET: MOSFET je tranzistor sa efektom polja koji kontroliše struju u poluprovodniku kroz napon gejta. Kada napon gejta pređe napon izvora, formira se provodljivi sloj, koji omogućava struji da teče. Suprotno tome, kada je napon gejta ispod praga, provodni sloj nestaje i struja ne može teći. Rad MOSFET-a je relativno jednostavan, sa velikom brzinom prebacivanja.

2. Područja primjene

- IGBT: Zbog svoje tolerancije visokog napona, niskog gubitka napona provodljivosti i brzih performansi prebacivanja, IGBT je posebno pogodan za aplikacije velike snage i malih gubitaka kao što su pretvarači, pogoni motora, aparati za zavarivanje i neprekidna napajanja (UPS) . U ovim aplikacijama, IGBT efikasno upravlja operacijama prebacivanja visokog napona i velike struje.

- MOSFET: MOSFET, sa svojim brzim odzivom, visokim ulaznim otporom, stabilnim performansama preklapanja i niskom cijenom, naširoko se koristi u aplikacijama male snage i brzog preklapanja kao što su napajanja sa prekidačkim načinom rada, rasvjeta, audio pojačala i logička kola . MOSFET radi izuzetno dobro u aplikacijama male snage i niskog napona.