Analiza važnih uzroka stvaranja topline MOSFET

N tip, P tip MOSFET princip rada u suštini je isti, MOSFET se uglavnom dodaje na ulaznu stranu napona kapije kako bi uspješno kontrolirao izlaznu stranu struje odvoda, MOSFET je uređaj kontroliran naponom, kroz napon koji se dodaje do kapije za kontrolu karakteristika uređaja, za razliku od triode koja radi vrijeme prebacivanja zbog bazne struje uzrokovane efektom skladištenja naboja, u prekidačkim aplikacijama, MOSFET-ovi u prebacivanju aplikacije,MOSFET-ovi brzina prebacivanja je veća nego kod trioda.

U prekidačkom napajanju, najčešće korištenom MOSFET-u otvorenog odvodnog kruga, odvod je spojen na opterećenje kao što je, naziva se otvoreni odvod, otvoreni odvodni krug, opterećenje je povezano na to koliko je visok napon, može se uključiti, isključiti struja opterećenja, je idealan analogni sklopni uređaj, što je princip MOSFET-a za komutaciju uređaja, MOSFET-a za prebacivanje u obliku više kola.

Što se tiče aplikacija za prebacivanje napajanja, ova aplikacija zahtijeva MOSFETs za periodično provođenje, isključivanje, kao što je DC-DC napajanje koje se obično koristi u osnovnom buck pretvaraču oslanja se na dva MOSFET-a za obavljanje funkcije prebacivanja, ovi prekidači se naizmjenično u induktoru za skladištenje energije, oslobađanje energije u opterećenju, često biraju stotine kHz ili čak više od 1 MHz, uglavnom zato što što je tada viša frekvencija, to su manje magnetne komponente. Tokom normalnog rada, MOSFET je ekvivalentan provodniku, na primjer, MOSFET velike snage, MOSFET malog napona, kola, napajanje je minimalni gubitak provodljivosti MOS-a.

MOSFET PDF parametri, proizvođači MOSFET-a su uspješno usvojili RDS (ON) parametar za definiranje impedancije uključenog stanja, za komutacijske aplikacije, RDS (ON) je najvažnija karakteristika uređaja; listovi sa podacima definišu RDS (ON), napon gejta (ili pogona) VGS i struja koja teče kroz prekidač su povezani, za adekvatan pogon gejta, RDS (ON) je relativno statički parametar; MOSFET-ovi koji su bili u provodljivosti skloni su stvaranju toplote, a sporo povećanje temperature spoja može dovesti do povećanja RDS (ON);MOSFET Tehnički listovi specificiraju parametar toplotne impedanse, koji je definisan kao sposobnost spoja poluprovodnika MOSFET paketa da odvodi toplotu, a RθJC se jednostavno definiše kao toplotna impedansa između spoja i kućišta.

1, frekvencija je previsoka, ponekad prekomjerno tjeranje na volumen, direktno će dovesti do visoke frekvencije, MOSFET na gubitku se povećava, što je toplina veća, ne rade dobar posao adekvatnog dizajna rasipanje topline, visoka struja, nominalna trenutna vrijednost MOSFET-a, potreba za dobrim odvođenjem topline da bi se mogla postići; ID je manji od maksimalne struje, može biti ozbiljna toplina, potreba za adekvatnim pomoćnim hladnjakom.

2, greške u odabiru MOSFET-a i greške u procjeni snage, unutrašnji otpor MOSFET-a nije u potpunosti uzet u obzir, direktno će dovesti do povećane impedancije prebacivanja, kada se radi o problemima grijanja MOSFET-a.

3, zbog problema sa dizajnom kola, što rezultira toplinom, tako da MOSFET radi u linearnom radnom stanju, a ne u stanju prebacivanja, što je direktan uzrok zagrijavanja MOSFET-a, na primjer, N-MOS radi prebacivanje, G- nivo napona mora biti veći od napajanja za nekoliko V, da bi mogao biti u potpunosti provodljiv, P-MOS je drugačiji; u nedostatku potpuno otvorenog, pad napona je prevelik, što će rezultirati potrošnjom energije, ekvivalentna DC impedansa je veća, pad napona će se također povećati, U * I će se također povećati, gubitak će dovesti do topline.