WST2011 Dual P-Channel -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

proizvodi

WST2011 Dual P-Channel -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

Kratki opis:


  • Broj modela:WST2011
  • BVDSS:-20V
  • RDSON:80mΩ
  • ID:-3.2A
  • kanal:Dvostruki P-kanal
  • Paket:SOT-23-6L
  • Proizvod Summery:Napon WST2011 MOSFET-a je -20V, struja je -3.2A, otpor je 80mΩ, kanal je Dual P-Channel, a paket je SOT-23-6L.
  • Prijave:E-cigarete, kontrole, digitalni proizvodi, mali uređaji, kućna zabava.
  • Detalji o proizvodu

    Aplikacija

    Oznake proizvoda

    Opći opis

    WST2011 MOSFET-ovi su najnapredniji dostupni P-ch tranzistori, sa nenadmašnom gustinom ćelija.Nude izuzetne performanse, sa niskim RDSON-om i napunjenošću gejta, što ih čini idealnim za male preklopke i aplikacije prekidača opterećenja.Nadalje, WST2011 ispunjava RoHS i ekološke standarde proizvoda i ima odobrenje za pouzdanost pune funkcije.

    Karakteristike

    Napredna tehnologija Trench omogućava veću gustinu ćelija, što rezultira zelenim uređajem sa super niskim punjenjem i odličnim smanjenjem CdV/dt efekta.

    Prijave

    Visokofrekventni sinkroni prekidač male snage pogodan je za upotrebu u MB/NB/UMPC/VGA, mrežnim DC-DC sistemima napajanja, prekidačima opterećenja, e-cigaretama, kontrolerima, digitalnim proizvodima, malim kućanskim aparatima i potrošačkoj elektronici .

    odgovarajući broj materijala

    ON FDC634P,VISHAY Si3443DDV,NXP PMDT670UPE,

    Važni parametri

    Simbol Parametar Ocjena Jedinice
    10s Stabilno stanje
    VDS Drain-Source Voltage -20 V
    VGS Gate-Source Voltage ±12 V
    ID@TA=25℃ Kontinuirana struja odvoda, VGS @ -4.5V1 -3.6 -3.2 A
    ID@TA=70℃ Kontinuirana struja odvoda, VGS @ -4.5V1 -2.6 -2.4 A
    IDM Impulsna struja odvoda2 -12 A
    PD@TA=25℃ Ukupna disipacija snage3 1.7 1.4 W
    PD@TA=70℃ Ukupna disipacija snage3 1.2 0.9 W
    TSTG Raspon temperature skladištenja -55 do 150
    TJ Raspon temperature radnog spoja -55 do 150
    Simbol Parametar Uslovi Min. Tip. Max. Jedinica
    BVDSS Napon kvara odvod-izvor VGS=0V, ID=-250uA -20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS temperaturni koeficijent Referenca na 25℃, ID=-1mA --- -0,011 --- V/℃
    RDS(UKLJUČENO) Statički odvod-izvor na-otpor2 VGS=-4.5V, ID=-2A --- 80 85
           
        VGS=-2.5V, ID=-1A --- 95 115  
    VGS(th) Gate Threshold Voltage VGS=VDS, ID =-250uA -0.5 -1.0 -1.5 V
               
    △VGS(th) VGS(th) temperaturni koeficijent   --- 3.95 --- mV/℃
    IDSS Struja curenja odvod-izvor VDS=-16V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- -1 uA
           
        VDS=-16V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- -5  
    IGSS Struja curenja kapija-izvor VGS=±12V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Forward Transconductance VDS=-5V, ID=-2A --- 8.5 --- S
    Qg Totalno punjenje vrata (-4.5V) VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-2A --- 3.3 11.3 nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 1.1 1.7
    Qgd Gate-Drain Charge --- 1.1 2.9
    Td(on) Vrijeme kašnjenja uključivanja VDD=-15V , VGS=-4.5V ,

    RG=3.3Ω, ID=-2A

    --- 7.2 --- ns
    Tr Vrijeme uspona --- 9.3 ---
    Td(isključeno) Vrijeme kašnjenja isključivanja --- 15.4 ---
    Tf Vrijeme jeseni --- 3.6 ---
    Ciss Ulazni kapacitet VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz --- 750 --- pF
    Coss Izlazni kapacitet --- 95 ---
    Crss Reverzni prijenosni kapacitet --- 68 ---

  • Prethodno:
  • Sljedeći:

  • Napišite svoju poruku ovdje i pošaljite nam je