WSF4022 Dual N-kanalni 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET

WSF4022 Dual N-Channel 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET Featured Image

Kratki opis:

Broj modela:WSF4022

BVDSS:40V

RDSON:21mΩ

ID:20A

kanal:Dvostruki N-kanalni

Paket:TO-252-4L

Proizvod Summery:Napon WSF30150 MOSFET-a je 40V, struja je 20A, otpor je 21mΩ, kanal je Dual N-Channel, a paket je TO-252-4L.

Prijave:E-cigarete, bežično punjenje, motori, izvori napajanja za hitne slučajeve, dronovi, medicinska njega, punjači za automobile, kontroleri, digitalni proizvodi, mali kućanski aparati, potrošačka elektronika.

Pošaljite nam email PDF

Detalji o proizvodu

Aplikacija

Oznake proizvoda

Opći opis

WSF4022 je najučinkovitiji Dual N-Ch MOSFET s ekstremno velikom gustinom ćelija, koji obezbjeđuje odličan RDSON i punjenje za većinu aplikacija sinhronog buck konvertora. WSF4022 ispunjava zahtjeve RoHS i ekološkog proizvoda 100% EAS zagarantovan sa punom funkcijom pouzdanost odobrena.

Karakteristike

Za pre-driver H-Bridge, upravljanje motorom, sinkrono ispravljanje, e-cigarete, bežično punjenje, motore, izvore napajanja u hitnim slučajevima, dronove, medicinsku njegu, punjače za automobile, kontrolere, digitalne proizvode, male kućne aparate, potrošačku elektroniku.

Prijave

odgovarajući broj materijala

AOS

Važni parametri

Simbol	Parametar		Ocjena	Jedinice
VDS	Drain-Source Voltage		40	V
VGS	Gate-Source Voltage		±20	V
ID	Struja odvoda (kontinuirano) *AC	TC=25°C	20*	A
ID	Struja odvoda (kontinuirano) *AC	TC=100°C	20*	A
ID	Struja odvoda (kontinuirano) *AC	TA=25°C	12.2	A
ID	Struja odvoda (kontinuirano) *AC	TA=70°C	10.2	A
IDMa	Impulsna struja odvoda	TC=25°C	80*	A
EASb	Single Pulse Avalanche Energy	L=0.5mH	25	mJ
MRS b	Avalanche Current	L=0.5mH	17.8	A
PD	Maksimalna disipacija snage	TC=25°C	39.4	W
PD	Maksimalna disipacija snage	TC=100°C	19.7	W
PD	Power Dissipation	TA=25°C	6.4	W
PD	Power Dissipation	TA=70°C	4.2	W
TJ	Raspon temperature radnog spoja		175	℃
TSTG	Radna temperatura/ Temperatura skladištenja		-55~175	℃
RθJA b	Toplinska otpornost spoj - ambijent	Stabilno stanje c	60	℃/W
RθJC	Toplinska otpornost Spoj na kućište		3.8	℃/W

Simbol	Parametar	Uslovi	Min.	Tip.	Max.	Jedinica
Statički
V(BR)DSS	Napon kvara odvod-izvor	VGS = 0V, ID = 250μA	40			V
IDSS	Struja odvoda napona nulte kapije	VDS = 32V, VGS = 0V			1	µA
IDSS	Struja odvoda napona nulte kapije	VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C			30	µA
IGSS	Struja curenja kapije	VGS = ±20V, VDS = 0V			±100	nA
VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VGS = VDS, IDS = 250µA	1.1	1.6	2.5	V
RDS(uključeno) d	Otpor drena-izvora u uključenom stanju	VGS = 10V, ID = 10A		16	21	mΩ
RDS(uključeno) d	Otpor drena-izvora u uključenom stanju	VGS = 4.5V, ID = 5A		18	25	mΩ
Kapija Chargee
Qg	Total Gate Charge	VDS=20V,VGS=4.5V, ID=10A		7.5		nC
Qgs	Gate-Source Charge			3.24		nC
Qgd	Gate-Drain Charge			2.75		nC
Dynamice
Ciss	Ulazni kapacitet	VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz		815		pF
Coss	Izlazni kapacitet			95		pF
Crss	Reverzni prijenosni kapacitet			60		pF
td (uključeno)	Vrijeme kašnjenja uključivanja	VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω.		7.8		ns
tr	Vrijeme porasta uključivanja			6.9		ns
td(off)	Vrijeme odgode isključivanja			22.4		ns
tf	Vrijeme isključenja			4.8		ns
Diode
VSDd	Diode Forward Voltage	ISD=1A, VGS=0V		0,75	1.1	V
trr	Ulazni kapacitet	IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs		13		ns
Qrr	Izlazni kapacitet	IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs		8.7		nC