WSD75100DN56 N-kanalni 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

proizvodi

WSD75100DN56 N-kanalni 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kratki opis:

Broj dijela:WSD75100DN56

BVDSS:75V

ID:100A

RDSON:5.3mΩ 

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Detalji o proizvodu

Aplikacija

Oznake proizvoda

WINSOK MOSFET pregled proizvoda

Napon WSD75100DN56 MOSFET-a je 75V, struja je 100A, otpor je 5,3mΩ, kanal je N-kanalni, a paket je DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET područja primjene

E-cigarete MOSFET, bežično punjenje MOSFET, dronovi MOSFET, medicinska njega MOSFET, auto punjači MOSFET, kontroleri MOSFET, digitalni proizvodi MOSFET, mali kućni aparati MOSFET, potrošačka elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET odgovara brojevima materijala drugih brendova

AOS MOSFET AON6276,AON6278,AON628,AON6282,AON6448.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS6H824N.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.INFINEON,IR MOSFET MOSFET BSC42NESC3NS6NSGPO67P Sector 6X.

MOSFET parametri

Simbol

Parametar

Ocjena

Jedinice

VDS

Drain-Source Voltage

75

V

VGS

Gate-Source Voltage

±25

V

TJ

Maksimalna temperatura spoja

150

°C

ID

Raspon temperature skladištenja

-55 do 150

°C

IS

Diodna kontinuirana struja naprijed,TC=25°C

50

A

ID

Kontinuirana struja odvoda, VGS=10V,TC=25°C

100

A

Kontinuirana struja odvoda, VGS=10V,TC=100°C

73

A

IDM

Impulsna struja odvoda ,TC=25°C

400

A

PD

Maksimalna disipacija snage, TC=25°C

155

W

Maksimalna disipacija snage, TC=100°C

62

W

RθJA

Toplinska otpornost spoja na ambijent ,t =10s ̀

20

°C

Toplinska otpornost - spoj na ambijent, stabilno stanje

60

°C

RqJC

Toplinska otpornost - spoj na kućište

0.8

°C

IAS

Struja lavine, pojedinačni impuls, L=0.5mH

30

A

EAS

Energija lavine, pojedinačni impuls, L=0,5 mH

225

mJ

 

Simbol

Parametar

Uslovi

Min.

Tip.

Max.

Jedinica

BVDSS

Napon kvara odvod-izvor VGS=0V , ID=250uA

75

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSTemperaturni koeficijent Pozivanje na 25, ID=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(UKLJUČENO)

Statički odvod-izvor na-otpor2 VGS=10V , ID=25A

---

5.3

6.4

mΩ

VGS(th)

Gate Threshold Voltage VGS=VDS, ID=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperaturni koeficijent

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Struja curenja odvod-izvor VDS=48V, VGS=0V , TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V, VGS=0V , TJ=55

---

---

10

IGSS

Struja curenja kapija-izvor VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Forward Transconductance VDS=5V, ID=20A

---

50

---

S

Rg

Otpor kapije VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

2

Ω

Qg

Ukupan napunjenost vrata (10V) VDS=20V, VGS=10V, ID=40A

---

65

85

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

20

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

17

---

Td(on)

Vrijeme kašnjenja uključivanja VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, ID=1A ,RL=15Ω.

---

27

49

ns

Tr

Vrijeme uspona

---

14

26

Td(isključeno)

Vrijeme kašnjenja isključivanja

---

60

108

Tf

Vrijeme jeseni

---

37

67

Cbr

Ulazni kapacitet VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz

3450

3500 4550

pF

Coss

Izlazni kapacitet

245

395

652

Crss

Reverzni prijenosni kapacitet

100

195

250


  • Prethodno:
  • Sljedeći:

  • Napišite svoju poruku ovdje i pošaljite nam je