WSD60N10GDN56 N-kanalni 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

proizvodi

WSD60N10GDN56 N-kanalni 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kratak opis:

Broj dijela:WSD60N10GDN56

BVDSS:100V

ID:60A

RDSON:8.5mΩ

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Detalji o proizvodu

Aplikacija

Oznake proizvoda

WINSOK MOSFET pregled proizvoda

Napon WSD60N10GDN56 MOSFET-a je 100V, struja je 60A, otpor je 8,5mΩ, kanal je N-kanalni, a paket je DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET područja primjene

E-cigarete MOSFET, bežično punjenje MOSFET, motori MOSFET, dronovi MOSFET, medicinska njega MOSFET, auto punjači MOSFET, kontroleri MOSFET, digitalni proizvodi MOSFET, mali kućni aparati MOSFET, potrošačka elektronika MOSFET.

Područja primjene MOSFET-aWINSOK MOSFET odgovara brojevima materijala drugih marki

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.INFINES6692,AONS66922 TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Semiconductor MOSFET PDC92X.

MOSFET parametri

Simbol

Parametar

Ocjena

Jedinice

VDS

Drain-Source Voltage

100

V

VGS

Gate-Source Voltage

±20

V

ID@TC=25℃

Kontinuirana struja odvoda

60

A

IRL

Impulsna struja odvoda

210

A

EAS

Energija lavine, pojedinačni puls

100

mJ

PD@TC=25℃

Totalna disipacija snage

125

W

TSTG

Raspon temperature skladištenja

-55 do 150

TJ 

Raspon temperature radnog spoja

-55 do 150

 

Simbol

Parametar

Uslovi

Min.

Tip.

Max.

Jedinica

BVDSS 

Napon kvara odvod-izvor VGS=0V , ID=250uA

100

---

---

V

  Statički odvod-izvor na-otpor VGS=10V,ID=10A.

---

8.5

10. 0

RDS(UKLJUČENO)

VGS=4.5V,ID=10A.

---

9.5

12. 0

VGS(th)

Gate Threshold Voltage VGS=VDS, ID=250uA

1.0

---

2.5

V

IDSS

Struja curenja odvod-izvor VDS=80V, VGS=0V , TJ=25℃

---

---

1

uA

IGSS

Struja curenja kapija-izvor VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Ukupan napunjenost vrata (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID=25A

---

49.9

---

nC

Qgs 

Gate-Source Charge

---

6.5

---

Qgd 

Gate-Drain Charge

---

12.4

---

Td(on)

Vrijeme kašnjenja uključivanja VDD=50V, VGS=10V ,RG=2,2Ω, ID=25A

---

20.6

---

ns

Tr 

Vrijeme uspona

---

5

---

Td(isključeno)

Vrijeme kašnjenja isključivanja

---

51.8

---

Tf 

Vrijeme jeseni

---

9

---

Cbr 

Ulazni kapacitet VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz

---

2604

---

pF

Coss

Izlazni kapacitet

---

362

---

Crss 

Reverzni prijenosni kapacitet

---

6.5

---

IS 

Kontinuirana struja izvora VG=VD=0V, struja sile

---

---

60

A

ISP

Struja impulsnog izvora

---

---

210

A

VSD

Diode Forward Voltage VGS=0V , IS=12A, TJ=25℃

---

---

1.3

V

trr 

Obrnuto vrijeme oporavka IF=12A,dI/dt=100A/µs,TJ=25℃

---

60.4

---

nS

Qrr 

Reverse Recovery Charge

---

106.1

---

nC


  • Prethodno:
  • sljedeće:

  • Napišite svoju poruku ovdje i pošaljite nam je