WSD6040DN56 N-kanalni 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

proizvodi

WSD6040DN56 N-kanalni 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kratki opis:

Broj dijela:WSD6040DN56

BVDSS:60V

ID:36A

RDSON:14mΩ 

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Detalji o proizvodu

Aplikacija

Oznake proizvoda

WINSOK MOSFET pregled proizvoda

Napon WSD6040DN56 MOSFET-a je 60V, struja je 36A, otpor je 14mΩ, kanal je N-kanalni, a paket je DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET područja primjene

E-cigarete MOSFET, bežično punjenje MOSFET, motori MOSFET, dronovi MOSFET, medicinska pomoć MOSFET, auto punjači MOSFET, kontroleri MOSFET, digitalni proizvodi MOSFET, mali kućni aparati MOSFET, potrošačka elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET odgovara brojevima materijala drugih brendova

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.

MOSFET parametri

Simbol

Parametar

Ocjena

Jedinice

VDS

Drain-Source Voltage

60

V

VGS

Gate-Source Voltage

±20

V

ID

Kontinuirana struja odvoda TC=25°C

36

A

TC=100°C

22

ID

Kontinuirana struja odvoda TA=25°C

8.4

A

TA=100°C

6.8

IDMa

Impulsna struja odvoda TC=25°C

140

A

PD

Maksimalna disipacija snage TC=25°C

37.8

W

TC=100°C

15.1

PD

Maksimalna disipacija snage TA=25°C

2.08

W

TA=70°C

1.33

IAS c

Struja lavine, pojedinačni impuls

L=0.5mH

16

A

EASc

Single Pulse Avalanche Energy

L=0.5mH

64

mJ

IS

Diode Continuous Forward Current

TC=25°C

18

A

TJ

Maksimalna temperatura spoja

150

TSTG

Raspon temperature skladištenja

-55 do 150

RθJAb

Toplinska otpornost spoja na okolinu

Stabilno stanje

60

/W

RθJC

Toplinska otpornost - spoj na kućište

Stabilno stanje

3.3

/W

 

Simbol

Parametar

Uslovi

Min.

Tip.

Max.

Jedinica

Statički        

V(BR)DSS

Napon kvara odvod-izvor

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

Struja odvoda napona nulte kapije

VDS = 48 V, VGS = 0 V

   

1

µA

 

TJ=85°C

   

30

IGSS

Struja curenja kapije

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

On Characteristics        

VGS(TH)

Gate Threshold Voltage

VGS = VDS, IDS = 250µA

1

1.6

2.5

V

RDS(uključeno)d

Otpor drena-izvora u uključenom stanju

VGS = 10V, ID = 25A

  14 17.5

VGS = 4.5V, ID = 20A

  19

22

Prebacivanje        

Qg

Total Gate Charge

VDS=30V

VGS=10V

ID=25A

  42  

nC

Qgs

Gate-Sour Charge  

6.4

 

nC

Qgd

Gate-Drain Charge  

9.6

 

nC

td (uključeno)

Vrijeme kašnjenja uključivanja

VGEN=10V

VDD=30V

ID=1A

RG=6Ω

RL=30Ω

  17  

ns

tr

Vrijeme porasta uključivanja  

9

 

ns

td(off)

Vrijeme odgode isključivanja   58  

ns

tf

Vrijeme isključenja   14  

ns

Rg

Gat otpor

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

1.5

 

Ω

Dynamic        

Ciss

In Capacitance

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

2100

 

pF

Coss

Out Capacitance   140  

pF

Crss

Reverzni prijenosni kapacitet   100  

pF

Karakteristike drain-source diode i maksimalne ocjene        

IS

Kontinuirana struja izvora

VG=VD=0V, struja sile

   

18

A

ISM

Struja impulsnog izvora3    

35

A

VSDd

Diode Forward Voltage

ISD = 20A, VGS=0V

 

0.8

1.3

V

trr

Obrnuto vrijeme oporavka

ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

Qrr

Reverse Recovery Charge   33  

nC


  • Prethodno:
  • Sljedeći:

  • Napišite svoju poruku ovdje i pošaljite nam je