WSD4098 Dual N-kanalni 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kratak opis:

Ovo je magnetni bežični power bank koji automatski prepoznaje Apple telefone i ne zahtijeva aktivaciju gumba. Integriše 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC ulazne i izlazne protokole brzog punjenja. To je bežični power bank proizvod koji je kompatibilan sa Apple/Samsung mobilnim telefonima sinhroni boost/step-down pretvarači, upravljanje punjenjem Li baterije, digitalna cijevna indikacija napajanja, magnetno bežično punjenje i druge funkcije.

Broj modela:WSD4098

BVDSS:40V

RDSON:7.8mΩ

ID:22A

kanal:Dvostruki N-kanalni

Paket:DFN5*6-8

Proizvod Summery:Napon WSD4098 MOSFET-a je 40V, struja je 22A, otpor je 7,8mΩ, kanal je Dual N-kanalni, a paket je DFN5*6-8.

Prijave:E-cigarete, bežično punjenje, motori, dronovi, medicinska njega, punjači za automobile, kontroleri, digitalni proizvodi, mali kućanski aparati, potrošačka elektronika.

Pošaljite nam email PDF

Detalji o proizvodu

Aplikacija

Oznake proizvoda

Opšti opis

WSD4098DN56 je Dual N-Ch MOSFET sa najvećim performansama sa ekstremno velikom gustinom ćelija, koji obezbeđuje odličan RDSON i punjenje kapije za većinu aplikacija sinhronog buck pretvarača. WSD4098DN56 ispunjava zahtjeve RoHS i ekološkog proizvoda 100% EAS zagarantovan uz odobrenu pouzdanost pune funkcije.

Karakteristike

Napredna tehnologija Trench velike gustine ćelija, Super Low Gate Charge, Odličan pad CdV/dt efekta, 100% EAS zagarantovan, Zeleni uređaj dostupan

Prijave

Visokofrekventni sinhroni konvertor za MB/NB/UMPC/VGA, mrežni DC-DC sistem napajanja, prekidač opterećenja, e-cigarete, bežično punjenje, motori, dronovi, medicinska njega, punjači za automobile, kontroleri, digitalni proizvodi, mali kućanski aparati, potrošačka elektronika.

odgovarajući broj materijala

AOS AON6884

Važni parametri

Simbol	Parametar		Ocjena	Jedinica
Common Ratings
VDSS	Drain-Source Voltage		40	V
VGSS	Gate-Source Voltage		±20	V
TJ	Maksimalna temperatura spoja		150	°C
TSTG	Raspon temperature skladištenja		-55 do 150	°C
IS	Diodna stalna struja naprijed	TA=25°C	11.4	A
ID	Kontinuirana struja odvoda	TA=25°C	22	A
ID	Kontinuirana struja odvoda			A
		TA=70°C	22
I DM b	Ispitana struja pulsnog odvoda	TA=25°C	88	A
PD	Maksimalna disipacija snage	T. =25°C	25	W
PD	Maksimalna disipacija snage	TC=70°C	10	W
RqJL	Toplinska otpornost - spoj sa olovom	Steady State	5	°C/W
RqJA	Toplinska otpornost - spoj na ambijent	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Toplinska otpornost - spoj na ambijent	Stanje stabilnosti b	90	°C/W
I AS d	Struja lavine, pojedinačni impuls	L=0.5mH	28	A
E AS d	Energija lavine, pojedinačni puls	L=0.5mH	39.2	mJ

Simbol	Parametar	Test Conditions		Min.	Tip.	Max.	Jedinica
Statičke karakteristike
BVDSS	Napon kvara odvod-izvor	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Struja odvoda napona nulte kapije	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Struja odvoda napona nulte kapije						mA
			TJ=85°C	-	-	30
VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Struja curenja kapije	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	±100	nA
R DS(ON) e	Otpor drena-izvora u uključenom stanju	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	m W
R DS(ON) e	Otpor drena-izvora u uključenom stanju	VGS=4,5V, IDS=12 A		-	9.0	11	m W
Diode Characteristics
V SD e	Diode Forward Voltage	ISD=1A, VGS=0V		-	0,75	1.1	V
trr	Obrnuto vrijeme oporavka	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	Reverse Recovery Charge	ISD=20A, dlSD /dt=100A/µs		-	13	-	nC
Dinamičke karakteristike f
RG	Otpor kapije	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
Ciss	Ulazni kapacitet	VGS=0V, VDS=20V, Frekvencija=1.0MHz		-	1370	1781	pF
Coss	Izlazni kapacitet			-	317	-
Crss	Reverzni prijenosni kapacitet			-	96	-
td(ON)	Vrijeme kašnjenja uključivanja	VDD =20V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	Vrijeme porasta uključivanja			-	8	-
td( OFF)	Vrijeme odgode isključivanja			-	30	-
tf	Vrijeme isključenja			-	21	-
Karakteristike punjenja vrata f
Qg	Total Gate Charge	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Total Gate Charge	VDS=20V, VGS=4.5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	Threshold Gate Charge			-	2.6	-
Qgs	Gate-Source Charge			-	4.7	-
Qgd	Gate-Drain Charge			-	3	-