WSD30L88DN56 Dual P-channel -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kratak opis:

Broj modela:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

RDSON:11.5mΩ

ID:-49A

Kanal:Dvostruki P-kanal

Paket:DFN5*6-8

Proizvod Summery:Napon WSD30L88DN56 MOSFET-a je -30V, struja je -49A, otpor je 11,5mΩ, kanal je Dual P-channel, a paket je DFN5*6-8.

Prijave:E-cigarete, bežično punjenje, motori, dronovi, medicinska njega, punjači za automobile, kontroleri, digitalni proizvodi, mali kućanski aparati, potrošačka elektronika.

Pošaljite upit PDF

Detalji o proizvodu

Aplikacija

Oznake proizvoda

Opšti opis

WSD30L88DN56 je najučinkovitiji Dual P-Ch MOSFET s ekstremno velikom gustinom ćelija, koji obezbjeđuje odličan RDSON i punjenje gejta za većinu aplikacija sinhronog buck konvertora. WSD30L88DN56 ispunjava zahtjeve RoHS i ekološkog proizvoda 100% EAS zajamčen uz odobrenu pouzdanost pune funkcije.

Karakteristike

Napredna tehnologija Trench velike gustine ćelija, Super Low Gate Charge, Odličan pad CdV/dt efekta, 100% EAS zagarantovan, Dostupan zeleni uređaj.

Prijave

Visokofrekventni sinhroni punjač na tački opterećenja, buck konvertor za MB/NB/UMPC/VGA, mrežni DC-DC sistem napajanja, prekidač opterećenja, e-cigarete, bežično punjenje, motori, dronovi, medicinska njega, punjači za automobile, kontroleri, digitalni proizvodi, mali kućanski aparati, potrošačka elektronika.

odgovarajući broj materijala

AOS

Važni parametri

Simbol	Parametar	Ocjena	Jedinice
VDS	Drain-Source Voltage	-30	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuirana struja odvoda, VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC=100℃	Kontinuirana struja odvoda, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Impulsna struja odvoda2	-120	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	68	mJ
PD@TC=25℃	Ukupna disipacija snage4	40	W
TSTG	Raspon temperature skladištenja	-55 do 150	℃
TJ	Raspon temperature radnog spoja	-55 do 150	℃