WSD100N06GDN56 N-kanalni 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

proizvodi

WSD100N06GDN56 N-kanalni 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Kratki opis:

Broj dijela:WSD100N06GDN56

BVDSS:60V

ID:100A

RDSON:3mΩ 

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Detalji o proizvodu

Aplikacija

Oznake proizvoda

WINSOK MOSFET pregled proizvoda

Napon WSD100N06GDN56 MOSFET-a je 60V, struja je 100A, otpor je 3mΩ, kanal je N-kanalni, a paket je DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET područja primjene

Medicinski izvori napajanja MOSFET, PD MOSFET, dronovi MOSFET, elektronske cigarete MOSFET, glavni uređaji MOSFET i električni alati MOSFET.

WINSOK MOSFET odgovara brojevima materijala drugih brendova

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC692X.

MOSFET parametri

Simbol

Parametar

Ocjena

Jedinice

VDS

Drain-Source Voltage

60

V

VGS

Gate-Source Voltage

±20

V

ID1,6

Kontinuirana struja odvoda TC=25°C

100

A

TC=100°C

65

IDM2

Impulsna struja odvoda TC=25°C

240

A

PD

Maksimalna disipacija snage TC=25°C

83

W

TC=100°C

50

IAS

Struja lavine, pojedinačni impuls

45

A

EAS3

Single Pulse Avalanche Energy

101

mJ

TJ

Maksimalna temperatura spoja

150

TSTG

Raspon temperature skladištenja

-55 do 150

RθJA1

Toplinska otpornost spoja na okolinu

Stabilno stanje

55

/W

RθJC1

Toplinska otpornost - spoj na kućište

Stabilno stanje

1.5

/W

 

Simbol

Parametar

Uslovi

Min.

Tip.

Max.

Jedinica

Statički        

V(BR)DSS

Napon kvara odvod-izvor

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

Struja odvoda napona nulte kapije

VDS = 48 V, VGS = 0 V

   

1

µA

 

TJ=85°C

   

30

IGSS

Struja curenja kapije

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

On Characteristics        

VGS(TH)

Gate Threshold Voltage

VGS = VDS, IDS = 250µA

1.2

1.8

2.5

V

RDS(uključeno)2

Otpor drena-izvora u uključenom stanju

VGS = 10V, ID = 20A

 

3.0

3.6

VGS = 4.5V, ID = 15A

 

4.4

5.4

Prebacivanje        

Qg

Total Gate Charge

VDS=30V

VGS=10V

ID=20A

  58  

nC

Qgs

Gate-Sour Charge   16  

nC

Qgd

Gate-Drain Charge  

4.0

 

nC

td (uključeno)

Vrijeme kašnjenja uključivanja

VGEN=10V

VDD=30V

ID=20A

RG=Ω

  18  

ns

tr

Vrijeme porasta uključivanja  

8

 

ns

td(off)

Vrijeme odgode isključivanja   50  

ns

tf

Vrijeme isključenja   11  

ns

Rg

Gat otpor

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

0.7

 

Ω

Dynamic        

Ciss

In Capacitance

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

3458

 

pF

Coss

Out Capacitance   1522  

pF

Crss

Reverzni prijenosni kapacitet   22  

pF

Karakteristike drain-source diode i maksimalne ocjene        

IS1,5

Kontinuirana struja izvora

VG=VD=0V, struja sile

   

55

A

ISM

Struja impulsnog izvora3     240

A

VSD2

Diode Forward Voltage

ISD = 1A, VGS=0V

 

0.8

1.3

V

trr

Obrnuto vrijeme oporavka

ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

Qrr

Reverse Recovery Charge   33  

nC


  • Prethodno:
  • Sljedeći:

  • Napišite svoju poruku ovdje i pošaljite nam je